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长鑫存储已向国内多个客户交付HBM3E样品,预计今年内开始量产

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长鑫存储已向国内多个客户交付HBM3E样品,预计今年内开始量产

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上个月有报道称,长鑫存储(CXMT)已启动HBM3E风险试产。过去几年里,HBM对于AI芯片有着非常重要的作用。英伟达基于Hopper架构GPU的H200,是首款采用8层堆叠HBM3E的产品,随后基于Blackwell系列架构GPU的B200/GB200和B300/GB300同样采用了HBM3E,直到今年最新的Rubin架构GPU,才转向HBM4。 据TECHPOWERUP报道,长鑫存储已向国内多个客户交付HBM3E样品,预计未来两个月内开始量产HBM3E。长鑫存储早在2024年就开始了HBM3E的开发工作,现在终于走到一个里程碑时刻,取得了阶段性胜利。 目前长鑫存储主要面临的困难仍然是良品率问题,传闻现在HBM3E的良品率仅为20%至30%,远低于SK海力士的70%水平。由于良品率差距较大,长鑫存储现阶段HBM3E的生产成本肯定是高于其他竞争对手。尽管如此,随着国内AI芯片需要更多HBM产品,这部分市场存在短缺问题,长鑫存储扩大产能几乎是必然的选择。 另外性能表现也是另外一个挑战,早期测试显示长鑫存储的HBM3E与SK海力士、三星和美光存在技术差距。 一直以来,长鑫存储很少对外披露有关HBM产品的开发情况。在上个月的投资者简报会议上,长鑫存储管理层也没有直接回应相关的问题,仅表示按照现有的路线图开发产品及提升工艺技术。 特别

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